全球半导体产业正经历前所未有的技术跃迁，先进制程与异构集成技术的突破，推动芯片向高性能、低功耗、高集成度方向演进。这一趋势对测试仪器的精密度与可靠性提出了严苛要求——尤其在电力电子核心器件领域，MOSFET与FRED的性能验证已成为保障系统稳定性的关键环节。

MOSFET作为功率转换的核心开关器件，其寄生电容、导通电阻及栅极电荷直接影响开关损耗与驱动效率；而FRED则需在高频下实现纳秒级恢复时间，以避免反向恢复过程中的电压尖峰。

在此背景下，多模组测试成为突破测试瓶颈的核心路径。

并行测试能力：多模组测试可同时对多个器件（DUT）执行测试操作，显著缩短单次测试时间；

 优化资源调度：结合元启发式算法，多模组测试器能动态调度测试任务，最小化完工时间，提高设备利用率；

 量产成本控制：在晶圆测试阶段，多站点并行测试减少探针卡接触次数，降低测试成本并提升单位时间芯片出货量。

客户情况

某电子科技公司专注于电力电子器件领域，现阶段需针对MOSFET及FRED二极管开展参数测试工作。

测试要求

MOSFET测试：

       测试频率： 1MHz

       测试电平： 100mV

       Vd   :  25V

       测试参数：Ciss、 Coss、 Crss

解决方案

为满足客户的测试需求，同惠推荐：TH510系列半导体C-V特性分析仪。

1、宽频域与高压覆盖

TH510系列半导体C-V特性分析仪设计频率为1kHz-2MHz，Vgs电压可达±40V，VDS电压可达±200V/±1500V/±3000V，足以满足大多数功率器件测试，精准匹配高压器件测试需求。

MOSFET或IGBT最重要的四个寄生参数：Ciss、Coss、Crss、Rg，Cies、Coes、Cres、Rg均可一键测试，10.1寸大屏可同时将测量结果、等效电路图、分选结果等重要参数同时显示，一目了然。

一键测试单管器件器件时，无需频繁切换测试脚位、测量参数、测量结果，大大提高了测试效率。

2、模块化与高效测试

 TH510系列半导体C-V特性分析仪支持最多6个单管器件、6芯器件或6模组器件测试，所有测量参数通过列表扫描模式同时显示测试结果及判断结果。

3、多种独特技术，解决自动化配套测试痛点

在配套自动化设备或者产线时，经常会遇到下列问题，同惠针对多种情况进行了优化。

1）独特技术解决Ciss、Coss、Crss、Rg产线/自动化系统高速测试精度

同惠电子在电容测试行业近30年的经验积累，得以在产线、自动化测试等高速高精度测试场合，都能保证电容、电阻等测试精度。

常规产线测试，提供标准0米测试夹具，直插器件可直接插入进行测试，Ciss、Coss、Crss、Rg测试精度高。     

2）接触检查（Contact）功能，提前排除自动化测试隐患  

在高速测试特别是自动化测试中，经常会由于快速插拔或闭合，造成测试治具或工装表面磨损、引线断裂而接触不良，接触不良的造成的最直接后果是误判测试结果而难以发现，在废品率突然增加或发出产品故障原因退回时才会发现，因此是一个极大的隐患。

TH510系列半导体C-V特性分析仪采用了独特的硬件测试方法，采用了四端测量法，每个脚位均有两根线连接，若任意一根线断裂或者接触点接触不良，均可及时发现并提供接触不良点提示，仪器自动停止测试，等待进一步处理。

保障了结果的准确性，同时利于客户及时发现问题，避免了不良品率提高及故障品退回等带来的损失。

3）Crss+Plus功能，解决自动化测试系统高频下Crss负值问题   

Crss电容通常在pF级，容量较小，测试是个难题。而在自动化测试系统中，由于过多的转接开关、过长测测试引线等带来的寄生参数。

因此，测试Crss，特别是在高频测试时通常会出现负值，同惠电子采用独特的算法的Crss Plus模式，可保证即使是在自动化测试系统中、高频下也能测的正确的结果。

4）模组式器件设置，支持定制

针对模组式器件如双路（Dual）MOSFET、多组式IGBT，有些器件会有不同类型芯片混合式封装，TH510系列CV特性分析仪针对此情况做了优化，常见模组式芯片Demo已内置，特殊芯片支持定制。

 经验与总结

面向未来，同惠电子将继续深耕高端测试仪器领域，以更精准的测试解决方案赋能半导体产业升级，助力国产器件在全球价值链中占据更关键的话语权。