近年来,中国的功率芯片国产化称为主流,第三代半导体器件推上了风口浪尖,作为新一代的半导体材料,如何能保证国产化的顺利实施?
最重要的第一步就是器件自身特性与所具备的功能分析,自身特性认知就需要器件的静态参数分析,静态参数测试方案用于标定功率器件指标,验证产品指标是否一致,为产品的可靠性提供支持,比如开发和使用MOSFET、IGBT、二极管等其他大功率器件,需要进行器件级的静态参数测量如击穿电压、通态电流和电容测量
那接下来如何保证选用的高速功率器件能稳定可靠的运行在自己的电源产品设计中,需要进一步了解功率器件的动态性能,比如,不同温度下的特性、短路、栅极驱动、二极管恢复特性等
第三代半导体器件成为电源测试原型板的主要器材,要通过复杂的测试,才能完成设计验证,那第三代半导体器件要经历那些考验呢?
首先有三相电机驱动设计验证,三相电源转换器,如变频器,要求再设计构成中进行各种测量,输入分析、输出分析、纹波分析每项都是马达设计中至关重要的部分。
电源驱动设计中尤其重要是三相电源驱动时序测试非常重要、关系到整个驱动电路的安全,通过测试整个驱动电路的多个开关管的开启时序关系,从而优化电源驱动设计,提供电源安全性及效率。
开关电源是一种典型的反馈控制系统,其中相应速度和稳定性是两个重要的指标,为了验证电源的相应情况,就需要通过环路相应测试验证分析
成功的原型版设计与电源质量分析后,顺利进入产品级设计阶段,如何顺利通过产品级的终极认证呢?
首先是温升测试,为了验证产品的寿命和品质,需要将设计好的电源产品置于仿真的高温、恶劣环境中一段时间,检查其稳定性和可靠性。对电源产品做应力分析时也需要长期监测多个电压、电流及温度信号。
最后就是EMC预测试,EMI法规为电气和电子设备用户提供更高的可靠性和安全性,操作简单、经济实惠的预测试解决方案,成为众多企业的选择。
相关产品
OE4300为赛恩科学仪器推出的一款多通道高压功率放大器,其主要作用是将低功率信号放大为高功率信号,OE4300多通道高压功率放大器,各通道控制可独立选择,控制功放放大倍数和电压偏置选择能实现与多台信号发生器配到使用,实现信号的放大且各通道互不影响;通常应用在MEMS测试、超声波测试、电磁场驱动、无线电能传输以及院校电...
N6180系列为NGI公司开发的一款板卡式、高精度、高可靠性、高集成度、全功能(恒电流、恒电压、恒功率、恒电阻)的多通道可编程直流电子负载产品。N6180系列产品采用NXI架构电子负载板卡+标准19英寸3U机箱组成,单机集成10/19通道,支持测试通道无限拓展。N6180系列为集成应用量身定制,并具备OCP/OVP/O...
N6200系列宽范围中功率直流电子负载是一款高可靠性、高精度、高性价比、全功能(恒电流、恒电压、恒功率、恒电阻)可编程电子负载产品。N6200系列产品支持序列测试、动态测试、放电测试、充电测试、等效直流内阻(DCIR)测试、MPPT功能、OCP测试、模拟短路等多种功能。N6200系列支持本地/远程控制,标配LAN/RS...
N68000大功率直流电子负载为NGI公司基于多年电源、车载充电机、蓄电池、超级电容等相关测试应用经验而开发的一款高可靠性、高精度、高性价比、全功能(恒电流、恒电压、恒功率、恒电阻)直流电子负载产品。N68000系列产品支持序列测试、动态测试、放电测试、充电测试、等效直流内阻(DCIR)测试、OCP测试、模拟短路等多种...
相关文章
随着电力电子技术的快速发展,宽禁带(WBG)半导体器件如氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)因其高开关速度、高耐压和高效率等优势,正逐步取代传统硅基器件,广泛应用
在现代电力电子系统中,功率MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)因其高开关速度、低导通电阻和高效能特性,被广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器及新能源
在功率器件开关特性测试中,示波器带宽直接决定能否精准捕获电压电流的瞬态变化。普源DHO4000系列以200MHz、400MHz、800MHz三档带宽覆盖(对应D
在新能源汽车、5G基站等领域,碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)等宽禁带半导体器件正加速替代传统硅基器件。GaN的开关速度可达硅基器件的10倍,SiC模块开关频
在半导体技术飞速发展的当下,半导体器件的性能与可靠性成为众多行业应用的关键支撑,从消费电子到新能源汽车,从工业控制到航空航天,无一不依赖高性能半导体器件的稳定运
联系电话: 18165377573