近年来,中国的功率芯片国产化称为主流,第三代半导体器件推上了风口浪尖,作为新一代的半导体材料,如何能保证国产化的顺利实施?
最重要的第一步就是器件自身特性与所具备的功能分析,自身特性认知就需要器件的静态参数分析,静态参数测试方案用于标定功率器件指标,验证产品指标是否一致,为产品的可靠性提供支持,比如开发和使用MOSFET、IGBT、二极管等其他大功率器件,需要进行器件级的静态参数测量如击穿电压、通态电流和电容测量那接下来如何保证选用的高速功率器件能稳定可靠的运行在自己的电源产品设计中,需要进一步了解功率器件的动态性能,比如,不同温度下的特性、短路、栅极驱动、二极管恢复特性等
第三代半导体器件成为电源测试原型板的主要器材,要通过复杂的测试,才能完成设计验证,那第三代半导体器件要经历那些考验呢?
首先有三相电机驱动设计验证,三相电源转换器,如变频器,要求再设计构成中进行各种测量,输入分析、输出分析、纹波分析每项都是马达设计中至关重要的部分。
电源驱动设计中尤其重要是三相电源驱动时序测试非常重要、关系到整个驱动电路的安全,通过测试整个驱动电路的多个开关管的开启时序关系,从而优化电源驱动设计,提供电源安全性及效率。
开关电源是一种典型的反馈控制系统,其中相应速度和稳定性是两个重要的指标,为了验证电源的相应情况,就需要通过环路相应测试验证分析成功的原型版设计与电源质量分析后,顺利进入产品级设计阶段,如何顺利通过产品级的终极认证呢?
首先是温升测试,为了验证产品的寿命和品质,需要将设计好的电源产品置于仿真的高温、恶劣环境中一段时间,检查其稳定性和可靠性。对电源产品做应力分析时也需要长期监测多个电压、电流及温度信号。
最后就是EMC预测试,EMI法规为电气和电子设备用户提供更高的可靠性和安全性,操作简单、经济实惠的预测试解决方案,成为众多企业的选择。
以上就是第三代半导体功率器件成长法则的相关介绍,如果您有更多疑问或需求可以关注安泰测试Agitek哦!非常荣幸为您排忧解难
相关产品
安泰ATA-M8功率放大器带宽:(-3 dB)10kHz~500kHz,电压:690Vrms,功率:800VA,过流保护、过温保护,应用:水下通信、石油勘探、水声换能器驱动、变压器老化、磁芯损耗测试、水下测距、超声驱鱼
安泰ATA-M4功率放大器带宽:(-3 dB)10kHz~500kHz,电压:345Vrms,功率:400VA,过流保护、过温保护,应用:水下通信、石油勘探、水声换能器驱动、变压器老化、磁芯损耗测试、水下测距、超声驱鱼
安泰ATA-M2功率放大器带宽:(-3 dB)10kHz~500kHz,电压:175Vrms,功率:200VA,过流保护、过温保护,应用:水下通信、石油勘探、水声换能器驱动、变压器老化、磁芯损耗测试、水下测距、超声驱鱼
安泰ATA-40506高压功率放大器带宽:(-3dB)DC~500kHz,电压:310Vp-p(±155Vp),电流:8.48Ap,功率:1314Wp,压摆率:≥345V/μs,应用:超声电机驱动、软磁测试、无损检测、磁芯损耗测试、驱动压电陶瓷、超声换能器
相关文章
现在的功率电子面临的最大挑战是对使用了碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带(WBG)半导体的系统进行测试。电源转换器等功率设备使用这些宽禁带材料后,工作频
示波器是功率电子工程师的得力助手。借助强大易用的 FFT 分析功能,示波器还可应用于 EMI 调试,节省了大量时间与资金。示波器的一项典型应用就是在早期开发阶段
双脉冲测试 Double Pulse Test - 双脉冲测试评估功率半导体的开关行为,测量能量损耗和电压尖峰等关键参数,以优化电路性能并确保可靠
半导体技术正从硅基向碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带材料跃迁,驱动新能源、电动汽车等领域能效跃升。作为能源转换与控制的核心器件,MOS管凭借高频、高功
功率变换器是电能利用的重要装置,在生产和生活中发挥着重要作用。功率变换器的核心是 功率半导体器件,很大程度上决定了功率变换器的性能。经过近几十年的发展,功率半导
联系电话: 18165377573