随着AI数据中心、光伏储能、轨道交通等核心行业的快速发展，SiC(碳化硅)器件的耐压与效率要求持续提升，SiC电压等级从传统的650V逐步升级至1200V，甚至迈向1700V高阶等级。与之相对应，SiC器件的可靠性测试电压也在同步抬升，市场对高压精准直流电源的需求日益迫切，成为推动SiC产业发展的关键技术突破点。

HTRB测试一一SiC器件出厂必做的可靠性检测

HTRB (High Temperature Reverse Bias)是SiC器件可靠性验证中的重要一环。通过在高温环境下施加反向偏置电压，进行长时间的应力测试，可以有效筛查SiC器件的PN结缺陷以及验证漏电流的稳定性。测试周期通常长达1000小时以上。

这项测试的本质要求是:

高压、长期稳定的反向偏置电压。

在行业标准(如AEC-Q101、AQG324)中，HTRB测试要求施加的反向偏置电压通常为:

额定反向击穿电压BVdss(或Vds,max)的约80%或器件规定的最高反向直流电压。

以主流1700VSiCMOSFET为例，实际测试偏置已进入千伏级高压区间，按照80%的施压标准，反向偏置电压将达到约1360V。

IT-N6700系列:高压稳定偏置平台的理想选择

面对SiC器件HTRB高温反向偏置测试的挑战，ITECH推出了IT-N6700系列1500V高压可编程直流电源。该系列产品专为高压测试应用设计，提供高精度、高稳定性的电源输出，满足SiC器件在高温下进行长期稳定偏置测试的需求。

IT-N6700系列包括两个主要型号:

IT-N6723P (1500V/2A/1000W)

IT-N6724P (1500V/2A/1500W)

其核心特点包括:

高压精准输出:覆盖1200V及以上SiC器件HTRB测试电压区间，满足额定耐压约80%反向偏置要求。

程控接口:标配USB和以太网接口，便于与HTRB自动化测试台架集成，满足系统集成需求。

安全保护功能:内置过压、欠压、过流、过功率、过温保护等多重安全保护机制，有效避免器件损伤。

可调电压爬升/下降斜率:根据不同测试需求灵活调整电压变化速率。

CC/CV优先权:有效抑制过冲，避免对SiC器件造成损伤