4225-PMU有3种模式:分段Arb,全Arb和标准脉冲模式。在标准脉冲模式下,PMU可以在5V范围内实现10ns的脉冲宽度。
标准脉冲模式产生两个电压等级的脉冲,但不进行测量。脉冲定时由触发和脉冲开始之间的延迟、上升时间、下降时间、脉冲宽度和脉冲周期构成。
定义的脉冲宽度采用半峰全宽 (full width half maximum, FWHM) 标准。脉冲宽度的计算公式如下:

脉冲顶时间由PMU根据用户指定的脉冲宽度、上升和下降时间计算。然后脉冲周期是延迟、脉冲宽度、1/2的上升和下降时间和任何闲置时间的总和,如下面的等式所示:

脉冲模式的定时参数如下图所示:

图1. 脉冲计时
由于标准脉冲模式不需要测量,PMU可以实现其最小10ns脉冲宽度。PMU_examples_ulib用户库中的PMU_10ns_Pulse_Example模块使用精确的参数进行设置,以演示这种脉冲功能。将示波器连接到PMU的输出,可以获取脉冲波形。

图2: 使用示波器捕获的脉宽为10ns的脉冲
硬件要求 :
4225-PMU带或不带4225-RPM
水平分辨率为20ns的示波器
白色SMA电缆 (无RPM) 或三轴电缆 (有RPM)
SMA母转BNC公转适配器 (无RPM) 或Triax母转BNC公转适配器 (有RPM)
在示波器上查看输出
1. 打开Clarius并设置测试
a) 创建一个新项目
b) 添加一个通用2端被测
c) 添加自定义UTM测试
d) 置UTM为PMU_examples_ulib库,并选择PMU_10ns_Pulse_Example 模块
e) 选择需要配置的4225-PMU
f) 选择所需通道
2. 将示波器连接到4225-PMU上
a) 无RPM:将SMA电缆连接到所需通道输出,然后将另一端通过SMA转BNC适配器连接到示波器。
b) 带RPM:将三轴电缆连接到所需RPM的Force输出端,然后将另一端通过三同轴转BNC适配器连接到示波器。
3. 设置示波器来捕获脉冲
a) 垂直分辨率:200mV
b) 通道终端:50Ω
c) 水平分辨率:20ns
d) 水平延迟:关闭
e) 触发类型:边沿
f) 触发的边沿:上升
g) 触发电平:~300mV
4. 示波器将捕获波形
将示波器设置为单次触发,并在Clarius中运行UTM,示波器将捕获波形。

图3: 使用混合域示波器进行波形捕获
5. 使用自动测量或光标验证10ns脉冲宽度
a) 注意:脉冲宽度为FWHM/ 半峰全宽标准,应从最大振幅上升和下降的一半开始测量。
b) 对于这个模块 ( 脉冲从-1V到1V),脉冲判定取值在0V

图4. 光标测量脉冲宽度
相关产品
同惠TH2883系列产品是同惠研发的脉冲式线圈测试仪产品线。可完整提供低压30V到高压10kV,单通道到多通道(最大8通道)系列线圈测试仪解决方案。 该产
1、设备使用电源要求: 输入电压:单相AC220V10%(,中国大陆) 频率:50/60Hz 相数:单相三线制(L-N-PE) 电压分辨率:1V
PM8572A 型是高性能的双通道脉冲/码型发生器,可将普通脉冲发生器的规格发挥到极限,成为迄今为止市场上最先进的脉冲波形发生器。除了高性能脉冲功能外,新型PM8572A还可生成完整的标准、任意和序列波形阵列,这是当今实验室的必需品。
PM8571A 型是高性能的单通道脉冲/模式发生器,可将普通脉冲发生器的规格发挥到极限,成为迄今为止市场上最先进的脉冲波形发生器。除了高性能脉冲功能外,新型PM8571A还可生成完整的标准、任意和序列波形阵列,这是当今实验室的必需品。
相关文章
R&S®SMW200A矢量信号发生器可在高度集成的雷达场景模拟器中充当强大而灵活的信号发生源,用于最逼真和灵活的雷达场景。借助R&S®SMW-K503/-K504选件,R&S®SMW200A可以使用流式脉冲描述字(PDW)生成未来的高级I/Q调制雷达信号。它支持高达12兆脉冲描述字/秒(MPDW...
R&S®SMW200A矢量信号发生器可在高度集成的雷达场景模拟器中充当强大而灵活的信号发生源,用于最逼真和灵活的雷达场景。借助R&S®SMW-K503/-K504选件,R&S®SMW200A可以使用流式脉冲描述字(PDW)生成未来的高级I/Q调制雷达信号。它支持高达12兆脉冲描述字/秒(MPDW...
高亮度发光二极管(HBLED)等器件的制造商,通常在研发和设计阶段就需要对原型器件进行特性评估。虽然直流(DC)测试是常见方法,但在实际应用中,许多器件需要在脉
双脉冲测试(DPT)是评估功率器件开关损耗、时序及反向恢复特性的“金标准”。氮化镓器件开关速度极快(纳秒级),电压变化率(dv/dt)极高(>100 V/ns),带来三大测试挑战:信号完整性(寄生参数致波形失真)、共模噪声抑制(高dv/dt干扰测量)、时序精度(微小延迟致损耗计算误差)。
在晶体管器件的研发阶段,制造商通常需要对设计原型进行电学特性评估。直流(DC)测试是最常见的方法,但对于许多半导体器件而言,只有脉冲或短时导通(开关)激励条件下
联系电话: 18165377573