研究背景

在当今科技浪潮的推动下，半导体行业正以惊人的速度蓬勃发展，成为全球经济增长的核心驱动力之一。从智能手机、平板电脑等消费电子产品的持续迭代，到新能源汽车、5G 通信、人工智能、数据中心等新兴产业的崛起，半导体芯片作为这些领域的“心脏”，其性能与可靠性的提升直接决定了整个产业生态的进步。

随着半导体技术的不断演进，以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表的第三代宽禁带半导体材料凭借其独特的物理和电学特性，逐渐成为行业关注的焦点。

一、氮化镓与碳化硅的核心地位

（一）氮化镓（GaN）：高频高效的革命性材料

GaN凭借其高电子迁移率、高频率特性，在快充、5G通信、射频功放等领域广泛应用。其优势包括：

更高开关频率（MHz级别），显著减小器件体积；

更低导通损耗，提升能源转换效率；

在消费电子、数据中心电源中逐步替代传统硅基器件。

（二）碳化硅（SiC）：高压高功率的核心选择

SiC因其高击穿电场、优异热导率，成为电动汽车、光伏逆变器、智能电网的理想材料：

支持 1200V以上高压平台，降低系统能耗；

工作温度可达 200°C以上，提升系统可靠性；

全球市场持续高增长。

二、测试之困：第三代半导体的“隐形门槛”

然而，技术突破的背后，测试环节的挑战日益凸显。氮化镓与碳化硅器件的高电压、大电流、高频特性，对测试设备的精度、速度与可靠性提出严苛要求。传统测试方案面临三大难题：

动态参数捕捉难：高频开关下的瞬态特性易丢失；

热管理测试复杂：高温工况下的性能衰减难以精准评估；

多参数协同分析低效：动态电阻、开关损耗等指标需同步监测。

行业亟需一款能“精准、高效、全面”破解测试痛点的创新设备。

三、破局者来：同惠电子重磅新品蓄势待发

深耕电子测量领域三十余载的同惠电子，始终以技术创新驱动行业进步。针对第三代半导体测试的迫切需求，同惠电子潜心研发的功率半导体器件PIV测试系统即将正式发布！

三大核心突破提前揭秘：

宽频带×高精度：高带宽为14MHz，可快速捕捉高频信号。绝对精度达10mV + 0.1%，能为测量提供精准可靠的数据；

 三端同步守护：嵌入式快速短路电流断路器，对脉冲发生器头（漏极和栅极）以及偏置三通等外部元件进行保护；

硬件可编程×自动校准：直接硬件可编程性（SCPI 命令），可通过USB 远程控制，具有自动脉冲头校准程序。

这款新品不仅将重新定义半导体测试的精度与效率，更将助力企业加速氮化镓、碳化硅器件的研发与量产，共同推动行业进步。