本次测试旨在对碳化硅材料进行高阻值及漏电流性能评估，测试仪器采用TH2690高阻计，测试环境为图灵实验室，测试时环境温度为25.5°C，相对湿度为60%，环境条件稳定，符合电子材料测试标准要求，确保测试数据的准确性与可重复性。

测试时的环境条件和地点

Environment Condition and site at Verification

被测件为碳化硅（SiC）材料，该材料因其宽禁带特性，广泛应用于高功率、高温、高频电子器件中，其绝缘性能和漏电流控制是影响器件可靠性的关键参数。因此，开展高电压条件下的阻值与漏电流测试具有重要意义。

一、外观检测

测试前对碳化硅材料进行外观检查，结果显示材料表面无裂纹、无污染、电极接触良好，外观状态良好，满足测试要求。

二、产品阻值测试

测试电压范围设定为300V至900V，分别在300V、500V和900V条件下进行阻值测量，结果如下：

在300V电压下，测得阻值为31.735GΩ；

在500V电压下，阻值为27.028GΩ；

在900V电压下，阻值为25.317GΩ。

测试数据显示，随着测试电压升高，测得的绝缘阻值呈下降趋势。该现象符合高阻材料在高电场下的非线性导电特性，可能与材料内部微弱的载流子激发或界面效应有关，但整体阻值仍维持在GΩ级别，表明该碳化硅材料具有优异的绝缘性能。

三、产品漏电流测试

在相同电压条件下进行漏电流测试，结果如下：

300V时，漏电流为0.0094μA；

500V时，漏电流为0.0018μA；

900V时，漏电流上升至0.0355μA。

值得注意的是，500V时漏电流出现异常降低，可能与测试接触状态、仪器瞬态响应或材料极化效应有关，建议重复测试以确认数据稳定性。总体来看，漏电流均处于极低水平，符合高质量碳化硅材料的预期表现。

四、测试结论

在300V~900V测试电压范围内，该碳化硅材料表现出良好的高阻特性与低漏电流水平，虽存在电压依赖性，但性能稳定，满足高可靠性电子材料的应用需求。建议在实际应用中结合器件工作电压进行进一步的老化与温湿度应力测试，以全面评估其长期稳定性。

测试现场已拍摄各电压条件下的测试画面，作为原始数据存档。本次测试操作规范，数据真实有效，为后续材料选型与器件设计提供了可靠依据。