PVX-2506 设计有双向 MOSFET 输出级，使用 DEI 的 DE 系列快速功率 MOSFET。此设计提供快速上升和下降时间，并具有最小的过冲、下冲和振铃，以及快速稳定时间。受控电压波形允许被测设备 (DUT) 在几百纳秒内稳定在电压上，从而允许在设备加热开始之前进行 IV 测量。静态（偏置）电压可以施加到脉冲发生器，允许 DUT 保持在非零电压，然后脉冲高于或低于该电压。

脉冲发生器采用直接耦合、风冷、固态设计，提供同样快的脉冲上升和下降时间、低功耗以及最小的过冲、下冲或振铃。它具有过流检测和关断电路，可保护脉冲发生器免受负载或互连电缆中的电弧和短路造成的潜在损坏。

特征

• 专为半导体器件的精确脉冲设计，用于脉冲 IV 表征

• 输出电压至 +50V

• 输出电流至 10A

• 50% 最大占空比

• 脉冲宽度从 <1uS 到 100uS

• 用于数据采集的仪器级模拟电压和电流监视器

应用

专为半导体器件的精确脉冲设计，用于脉冲 IV 表征